MJD243G دیتاشیت

MJD243G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD243G
حجم فایل 86.968 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MJD243G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MJD243G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 1.4W
  • Transition Frequency (fT): 40MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 40@200mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@1A,100mA
  • Package: DPAK-3
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه